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SK하이닉스, 초고속 D램 ’HBM2E’ 본격 양산
기사작성: 2020-07-02 11:00:00

[아시아경제 이기민 기자] SK하이닉스가 지난해 개발한 초고속 D램인 ‘HBM2E’을 10개월 만에 본격 양산한다고 2일 밝혔다.


SK하이닉스의 HBM2E는 1초당 3.6기가비트(Gb)의 데이터 처리가 가능한 제품으로 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460.8기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다.


풀HD(고해상도)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이라고 SK하이닉스는 설명했다.


용량도 8개의 16Gb D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.
TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통해 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 뜻한다.


초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목 받고 있다.


이외에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일(Exascale) 슈퍼컴퓨터에 채용될 것으로 전망된다.
엑사스케일 슈퍼컴퓨터는 1초당 100경번 연산 수행이 가능한 초고성능 컴퓨팅 시스템이다.


오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다”며 “이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.


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