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[단독] 삼성전자, 30일부터 3나노 반도체 양산 돌입
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이재용(왼쪽) 삼성전자 부회장과 조 바이든 미국 대통령이 5월 20일 경기 평택 삼성전자 반도체 공장에서 시찰 후 악수하고 있다. 연합뉴스 삼성전자(005930)가 30일 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억..
https://www.sedaily.com/NewsView/267F7BEJ0N/GD0106
삼성전자(005930)가 30일 게이트올어라운드(GAA) 기반 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 양산을 세계 최초로 시작한다. 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업 1위 업체인 대만 TSMC를 단번에 따라잡을 수 있는 포석을 놓았다는 평가가 나온다.
28일 업계에 따르면 삼성전자는 30일 차세대 GAA 기반 나노 반도체 공정 양산 사실을 공식 발표한다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다. 삼성전자가 GAA 기반 3나노 반도체를 올 상반기 내에 양산하겠다고 공언한 기존 약속을 결국 지킨 셈이다. 이는 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.
출처 : https://www.sedaily.com/NewsView/267F7BEJ0N
수율이 어느정도일지 성공했으면 좋겠네요 | 
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시스템 반도체 시장이 중요한데 삼성이 시스템 반도체 전세계 점유율 3% 입니다(작년 2.2% 물론 상승하긴햇지만 )
tsmc를 잡네 마네는 개그