"맞춤형 고대역폭메모리(HBM)는 프로세서와 메모리가 공동 최적화(co-optimization)를 수행하는 첫 단추이자 범용인공지능(AGI) 시대를 여는 교두보이다.
"

김경륜 삼성전자 상품기획실 상무는 18일 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 이같이 말했다.
그는 삼성전자가 지난 2월 고용량 HBM 5세대 제품인 ‘HBM3E 12H(12단)’를 선보이기까지 힘썼던 주요 인물이다.

김 상무는 "프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 AGI 시대 혁신을 이루기 어렵다는 업계 공감대가 있었다"며 맞춤형 HBM 필요성을 짚었다.
이를 위해 "메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템 등 회사 역량을 활용해 대응할 것이며 차세대 HBM 전담팀도 구성했다"고 말했다.

삼성전자는 맞춤형 HBM을 위해 플랫폼화를 추진, 공용 설계 부분을 극대화한다는 전략을 내놨다.
HBM 생태계 파트너를 확대해 효율적으로 맞춤화 요구에 대응할 수 있는 체계도 구성할 계획이다.

김 상무는 앞으로 HBM 시장이 성숙기로 향해갈수록 ‘맞춤화(customization)’뿐 아니라 ‘분할(segmentation)’과 ‘파워 월(power wall)’ 키워드도 중요할 것으로 내다봤다.

HBM 초기엔 하드웨어 범용성이 중요했지만 미래엔 킬러 앱을 중심으로 서비스가 고도화하면서 하드웨어 인프라가 서비스별로 최적화하는 분할 과정을 거친다는 게 그의 설명이다.
삼성전자는 코어 다이(core die)를 단일화하고 8H(8단), 12H와 같은 패키지와 베이스 다이(base die) 다변화로 대응할 계획이다.

전체 시스템 파워가 한정된 상황에서 프로세서와 메모리 성능 향상으로 각각 소모 전력량이 늘면서 생기는 파워 월 해결을 위해선 기술 혁신에 나선다.
향후 선보일 HBM4에 로직 공정을 적용한 베이스 다이를 도입하고 패키징 방식도 기존 2.5D에서 3D로 변경한다.
D램 셀과 로직이 더 섞이는 방향으로 진화하는 식이다.

삼성전자는 이같은 혁신을 실현하기 위해 고객, 파트너와 논의를 시작한 상태다.
앞으로 관련 요구에 선제적으로 대응하면서 시장을 열어갈 계획이다.

HBM3E 12H 개발의 또 다른 주역인 윤재윤 삼성전자 DRAM개발실 상무는 같은 인터뷰에서 "고온 열 특성에 최적화한 NCF(비전도성 접착 필름) 조립 기술과 최첨단 공정 기술로 차세대 HBM4에 16H(16단)까지 도입할 것"이라고 예고했다.