삼성전자가 올해 누적 고대역폭메모리(HBM) 매출이 100억 달러를 돌파할 것으로 내다봤다.
김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 뉴스룸 기고문을 통해 "올해 하반기는 HBM 공급 개선으로 인공지능(AI) 서버 확산이 가속화될 뿐만 아니라, 일반(컨벤셔널) 서버와 스토리지 수요도 증가하는 선순환이 뚜렷하게 나타날 것"이라고 밝혔다.
그러면서 "삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했다"며 "2016년부터 2024년까지 예상되는 총 HBM 매출은 100억 달러가 넘을 것"이라고 전망했다.
김 상무는 "삼성전자는 HBM3E 8단 제품에 대해 지난달부터 양산에 들어갔으며, 업계 내 고용량 제품에 대한 고객 니즈 증가세에 발맞춰 업계 최초로 개발한 12단 제품도 2분기 내 양산할 예정"이라며 "램프업 또한 가속화할 계획"이라고 말했다.
삼성전자는 앞으로 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 방침이다.
특히 고객별로 최적화된 '맞춤형 HBM' 제품으로 고객사 수요를 충족시킨다는 계획이다.
김 상무는 "최근 HBM에는 '맞춤형 HBM'이라는 표현이 붙기 시작했다"며 "이는 AI 반도체 시장에서 메모리 반도체가 더 이상 범용 제품이 아니라는 것을 의미한다"고 말했다.
그러면서 "삼성전자는 고객별로 최적화된 '맞춤형 HBM' 제품으로 주요 고객사들의 수요를 충족시킬 계획"이라며 "HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스템온칩(SoC)과의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다"고 말했다.
이어 "이는 HBM 개발 및 공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징 및 품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화 및 최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것임을 의미한다"고 덧붙였다.
삼성전자는 차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리 뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, AVP의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획이다.
이를 위해 삼성전자는 올 초부터 각 사업부의 우수 엔지니어들을 한데 모아 차세대 HBM 전담팀을 구성해 맞춤형 HBM 최적화를 위한 연구 및 개발에 박차를 가하고 있다.
김 상문는 "업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속 선보일 예정"이라고 말했다.
한편 삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10나노 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구 개발을 진행하고 있으며, 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획이다.
온디바이스 AI 관련 제품도 확대 중이다.
PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 LPCAMM2를 지난해 9월 업계 최초로 개발했고, 기존 LPDDR 대비 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW를 개발 중이다.