Tech News Update (2024.02.15)
[삼성증권 반도체 소부장/류형근]
■ SK하이닉스, 16단 HBM3e 기술 첫 공개
- 20일 ISSCC 2024 컨퍼런스에서 16단 HBM3e 기술을 세계 최초로 공개할 예정. 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 제품.
- HBM3e 12단 제품: 2023년 샘플을 고객사에 공급하고, 올해 상반기 본격 양산할 계획.
■ 2023년 글로벌 웨이퍼 출하량 14.3% 감소
- 14일 SEMI에 따르면, 2023년 글로벌 실리콘 웨이퍼 출하량은 전년대비 14.3% 감소.
- 재고조정과 반도체 수요 둔화 영향. 2023년 하반기 출하량이 상반기 대비 9% 감소했다는 설명.
■ SK하이닉스, 낸드 인원 이동 잠정 중단
- 업계에 따르면, SK하이닉스는 작년 하반기부터 추진해오던 이천 낸드 생산 조직을 청주로 이동하는 방안을 잠정 중단.
- HBM 생산에 역량을 총 동원할 필요성이 증가. 현재 M15 P3에서 TSV 라인이 셋업.
■ LPCAMM
- On Device AI가 부상하며, LPCAMM이 차세대 DRAM으로 부상. 모바일용 DRAM 규격으로 전력 소모가 적은 LPDDR5 칩을 여러 개를 묶어 고용량을 구현한 제품.
- 삼성전자: 2023년 9월 전력효율을 70% 이상 높인 LPCAMM 제품을 공개 (초당 7.5Gb를 전송). 기존 규격인 SO-DIMM 대비 얇고, 작아 보다 얇고 가벼운 노트북 설계와 더 큰 배터리 탑재 공간 확보 가능. 인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마친 가운데 올해 상용화에 나설 전망.
- SK하이닉스: 2023년 11월 초당 9.6Gb를 전송하는 LPCAMM2를 개발. 전력 소비량을 50% 축소.
- 마이크론: 초당 9.6Gb를 전송하며, 크기와 전력 소비가 60% 넘게 작은 LPCAMM2 제품을 발표. 올해 상반기 출시 예상.
■ Tokyo Electron, 신규 식각 장비 2025년 출하 전망
- Tokyo Electron이 차세대 식각 장비를 2025년부터 고객사에 공급할 것이라고 발표. 400단 급 이상 3D NAND Channel Hole Etching을 타겟으로 개발된 장비. 현재 Channel Hole Etching 시장은 램리서치가 100% 점유율을 차지.
- 차세대 장비의 특징은 극저온에서 고속으로 식각이 진행된다는 점. 아르곤 가스, 불화탄소 (CF) 계열 가스, 새로운 Recipe 가스가 사용될 예정.
■ 하이브리드 본딩
- 14일 업계에 따르면 하이브리드 본딩 기술 확보를 위한 전략적 협력이 추진.
- 대표 협업 사례: Applied Materials와 BE Semiconductor, ASMPT와 EV그룹(EVG)이 있으며, Tokyo Electron과 시바우라 메카트로닉스, 한화정밀기계과 제우스 등도 협력을 진행 중.
감사합니다.
[삼성 문준호의 반.전] 2024년 2월 15일 주요 테크 뉴스
■ NVIDIA, 알파벳 시가총액 추월 후 미국 시총 순위 3위 달성
■ ASML, 중국 관련 미국 규제 확대 및 지정학적 긴장에 대한 비즈니스 리스크 언급
■ Tokyo Electron, 낸드 신규 식각 장비 내년 출시 전망
■ Tower Semiconductor 4Q23 매출 3.5억 달러 (-12% y-y, 컨센서스 부합), EPS 0.55 달러 (컨센서스 0.53 달러) / 1Q24 가이던스 매출 3.1억~3.4억 달러 (컨센서스 3.2억 달러)
■ Cisco, 연간 매출 가이던스 510-525억 달러로 하향 조정 (기존 538-550억 달러) 및 인력 5% 감축 예정
■ 삼성전자, Vodafone 및 AMD와 협력해 최초로 개방형 RAN 네트워크 구현 성공
■ Meta Quest 3, Apple Vision Pro에 비해 7배 저렴한 가격 예정
■ Microsoft, AI 기술 활용해 중국, 러시아 및 이란 해커 적발
■ Google, 프랑스에 AI 허브 설립
■ 2023년 전세계 실리콘 웨이퍼 출하량 14.3% 및 매출 11% 감소
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