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우선 반도체 레거시가 아닌 후공정 투자하는 분들이면 한번 보시라 올려봅니다 .
https://www.yna.co.kr/view/AKR20240313039951009?input=1195m
일전에 이 기사를 증포에 올려드린바 있습니다 ..
한 일주일전에 올라온 영상인데 .. 한번 시간나시면 한번 보시죠
TC-NCF : 삼성전자, 마이크론
- 다이 하나 하나 사이에 NCF 라는 필름을 넣고 TC 를 이용해 압력과 열을 가해 붙이는 방식
- 다이가 휘어지는 'warpage 현상'이 훨씬 덜함
MR-MUF : SK하이닉스 → 현재까지는 TC-NCF보단 나은듯
- 다이끼리 솔더볼로만 가접합 후 다이 사이 사이에 접합할 수 있는 소재 주입
- TC-NCF 대비 공정 속도가 빠름
삼성은 현재 HBM3E 의 경우 기존 NCF 방식을 고수할 것으로 밝혔으나 서버 DRAM의 경우 MR-MUF 방식 채택 예정
이 때 MUF 소재는 잘하면 삼성SDI에서 받아올수도 ???
(그게 베스트긴 하지 경쟁사가 가져오는 곳에서 같이 가져오기보단 계열사에서 가져오는게 낫지 가능만 하다면 말이죠)
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MUF는 나믹스가 짱임. 평가 결과가 그럼. 디스펜서 필요하고 경화시 워페이지 큼. 기판이 얇거나 볼피피가 좁으면 공정 조건 잡기 어려움. 단수가 많아 져도 그럴 것임.
연구소에 박사들 넘쳐남. 알아서들 잘 함.
뭐가 답이다라고 딱 결정하기 어려움. 공정 엔지니어가 다 알아서 판단해서 할 듯.